VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIRA60DDP-T1-UE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIRA60DDP-T1-UE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 193А; Idm: 500А
Ток стока: 193 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIRA60DDP-T1-UE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 193 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,9мОм; Рассеиваемая мощность — 78Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 39,1нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -16...20В.
Ток стока в импульсном режиме — 500А.
Перед заказом проверьте артикул SIRA60DDP-T1-UE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 193 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIRA60DDP-T1-UE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
