VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIRA18DP-T1-RE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIRA18DP-T1-RE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 33А; Idm: 70А
Ток стока: 33 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIRA18DP-T1-RE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 33 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Напряжение сток-исток — 30В; Рассеиваемая мощность — 14,7Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 21,5нC.
Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -16...20В; Ток стока в импульсном режиме — 70А.
Перед заказом проверьте артикул SIRA18DP-T1-RE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 33 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIRA18DP-T1-RE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
