VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIR680LDP-T1-UE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIR680LDP-T1-UE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 130А
Ток стока: 130 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIR680LDP-T1-UE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 130 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,8мОм; Полярность — полевой; Заряд затвора — 90нC.
Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SIR680LDP-T1-UE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 130 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIR680LDP-T1-UE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
