VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIR616DP-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIR616DP-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 20,2А; Idm: 50А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIR616DP-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

VISHAY SIR616DP-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 20,2А; Idm: 50А

Перед заказом проверьте артикул SIR616DP-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIR616DP-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV