VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIR606BDP-T1-RE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIR606BDP-T1-RE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 38,7А; Idm: 80А
Ток стока: 38,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIR606BDP-T1-RE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 38,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 20,5мОм; Рассеиваемая мощность — 62,5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 30нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 80А.
Перед заказом проверьте артикул SIR606BDP-T1-RE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 38,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIR606BDP-T1-RE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
