VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIR5810DP-T1-RE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIR5810DP-T1-RE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 42,6А; Idm: 100А
Ток стока: 42,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIR5810DP-T1-RE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 42,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 10мОм; Рассеиваемая мощность — 56,8Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 9,2нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 100А.
Перед заказом проверьте артикул SIR5810DP-T1-RE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 42,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIR5810DP-T1-RE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
