VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIR576DP-T1-BE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIR576DP-T1-BE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 120А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIR576DP-T1-BE3
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

VISHAY SIR576DP-T1-BE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 120А

Перед заказом проверьте артикул SIR576DP-T1-BE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIR576DP-T1-BE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV