VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHP6N65E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: SIHP6N65E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; TO220AB

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHP6N65E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 5 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

VISHAY SIHP6N65E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SIHP6N65E-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.

Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,6Ом; Рассеиваемая мощность — 78Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 48нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 18А.

Перед заказом проверьте артикул SIHP6N65E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
5 А
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHP6N65E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.