VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHP120N60E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: SIHP120N60E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт; TO220AB

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHP120N60E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 16 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

VISHAY SIHP120N60E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SIHP120N60E-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 16 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.

Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,12Ом; Рассеиваемая мощность — 179Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 45нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 66А.

Перед заказом проверьте артикул SIHP120N60E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
16 А
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHP120N60E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.