VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHLR120TR-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIHLR120TR-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,7А; DPAK,TO252

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHLR120TR-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 7,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SIHLR120TR-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SIHLR120TR-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 7,7 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.

Напряжение сток-исток — 100В; Полярность — полевой; Вид канала — обогащенный.

Перед заказом проверьте артикул SIHLR120TR-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
7,7 А
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK, TO252
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHLR120TR-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.