VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHLL110TR-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIHLL110TR-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,93А; 3,1Вт; SOT223

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHLL110TR-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 0,93 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SIHLL110TR-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SIHLL110TR-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,93 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.

Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 760мОм; Рассеиваемая мощность — 3,1Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 6,1нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±10В.

Перед заказом проверьте артикул SIHLL110TR-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
0,93 А
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHLL110TR-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.