VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIHFR1N60ATRL-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIHFR1N60ATRL-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,89А; Idm: 5,6А; 36Вт
Ток стока: 0,89 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIHFR1N60ATRL-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,89 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 7Ом; Рассеиваемая мощность — 36Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 14нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 5,6А.
Перед заказом проверьте артикул SIHFR1N60ATRL-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,89 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHFR1N60ATRL-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
