VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHF610S-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIHF610S-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,1А; Idm: 10А; 36Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHF610S-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 2,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SIHF610S-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SIHF610S-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,1 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.

Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,5Ом; Рассеиваемая мощность — 36Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 8,2нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 10А.

Перед заказом проверьте артикул SIHF610S-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
2,1 А
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK, TO263
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHF610S-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.