VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHF080N60E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: SIHF080N60E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 96А; 35Вт; TO220-3

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHF080N60E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 9 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

VISHAY SIHF080N60E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SIHF080N60E-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3.

Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 70мОм; Рассеиваемая мощность — 35Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 42нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 96А.

Перед заказом проверьте артикул SIHF080N60E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
9 А
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHF080N60E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.