О модели
Описание
VISHAY SIHD5N80AE-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4,4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 850В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,35Ом; Рассеиваемая мощность — 62,5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 11нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул SIHD5N80AE-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4,4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHD5N80AE-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
