О модели
Описание
VISHAY SIHD3N50D-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,2Ом; Рассеиваемая мощность — 69Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 12нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 5,5А.
Перед заказом проверьте артикул SIHD3N50D-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHD3N50D-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
