VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIHD2N80AE-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIHD2N80AE-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD
Ток стока: 1,8 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIHD2N80AE-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,5Ом; Рассеиваемая мощность — 62,5Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 10,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Ток стока в импульсном режиме — 3,6А.
Перед заказом проверьте артикул SIHD2N80AE-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHD2N80AE-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
