VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIHD240N60E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIHD240N60E-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252
Ток стока: 7 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIHD240N60E-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,24Ом; Рассеиваемая мощность — 78Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 23нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 30А.
Перед заказом проверьте артикул SIHD240N60E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHD240N60E-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
