VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIHD1K4N60E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIHD1K4N60E-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252
Ток стока: 2,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIHD1K4N60E-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,45Ом; Рассеиваемая мощность — 63Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 7,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 5А.
Перед заказом проверьте артикул SIHD1K4N60E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHD1K4N60E-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
