О модели
Описание
VISHAY SIHD12N50E-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,38Ом; Рассеиваемая мощность — 114Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 50нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 21А.
Перед заказом проверьте артикул SIHD12N50E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHD12N50E-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
