VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIHB6N65E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIHB6N65E-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; D2PAK,TO263
Ток стока: 5 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIHB6N65E-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,6Ом; Рассеиваемая мощность — 78Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 48нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 18А.
Перед заказом проверьте артикул SIHB6N65E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHB6N65E-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
