VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHB24N65E-E3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIHB24N65E-E3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHB24N65E-E3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 16 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SIHB24N65E-E3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SIHB24N65E-E3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 16 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.

Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,145Ом; Рассеиваемая мощность — 250Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 122нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 70А.

Перед заказом проверьте артикул SIHB24N65E-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
16 А
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK, TO263
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHB24N65E-E3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.