VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHB22N60AE-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIHB22N60AE-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHB22N60AE-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

VISHAY SIHB22N60AE-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт

Перед заказом проверьте артикул SIHB22N60AE-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHB22N60AE-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV