О модели
Описание
VISHAY SIHB20N50E-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 12 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 184мОм; Рассеиваемая мощность — 179Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 92нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 42А.
Перед заказом проверьте артикул SIHB20N50E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 12 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHB20N50E-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
