VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHB120N60E-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIHB120N60E-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHB120N60E-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 16 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SIHB120N60E-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт

Перед заказом проверьте артикул SIHB120N60E-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHB120N60E-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV