VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIHB068N60EF-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIHB068N60EF-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт
Ток стока: 26 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIHB068N60EF-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 26 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 68мОм; Рассеиваемая мощность — 250Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 77нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 115А.
Перед заказом проверьте артикул SIHB068N60EF-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 26 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHB068N60EF-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
