VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHA2N80E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: SIHA2N80E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 29Вт; TO220FP

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHA2N80E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 1,8 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220FP · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

VISHAY SIHA2N80E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SIHA2N80E-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,8 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220FP.

Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,75Ом; Рассеиваемая мощность — 29Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 19,6нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 5А.

Перед заказом проверьте артикул SIHA2N80E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
1,8 А
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHA2N80E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.