VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIE818DF-T1-E3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIE818DF-T1-E3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт
Ток стока: 60 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIE818DF-T1-E3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 60 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Напряжение сток-исток — 75В; Сопротивление в открытом состоянии — 12,5мОм; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 95нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 80А.
Перед заказом проверьте артикул SIE818DF-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 60 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIE818DF-T1-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
