VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIDR610EP-T1-RE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIDR610EP-T1-RE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 33,1А; Idm: 80А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIDR610EP-T1-RE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 33,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SIDR610EP-T1-RE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 33,1А; Idm: 80А

Перед заказом проверьте артикул SIDR610EP-T1-RE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIDR610EP-T1-RE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV