VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIB452DK-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIB452DK-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 190В; 0,53А; 13Вт
Ток стока: 0,53 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SC75 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIB452DK-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,53 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SC75.
Напряжение сток-исток — 190В; Сопротивление в открытом состоянии — 6Ом; Рассеиваемая мощность — 13Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 6,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±16В.
Перед заказом проверьте артикул SIB452DK-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,53 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SC75
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIB452DK-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
