VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIA517DJ-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SIA517DJ-T1-GE3
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SC70 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SIA517DJ-T1-GE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SC70; Напряжение сток-исток — 12/-12В; Ток стока — 4,5/-4,5А.
Сопротивление в открытом состоянии — 170/65мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 6,5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 20/15нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Перед заказом проверьте артикул SIA517DJ-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SC70
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIA517DJ-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
