VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI8487DB-T1-E1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SI8487DB-T1-E1
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт
Монтаж: SMD · Корпус: MICROFOOT® 1.6x1.6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
VISHAY SI8487DB-T1-E1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — MICROFOOT® 1.6x1.6; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -6,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 45мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,8/0,73Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 80нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул SI8487DB-T1-E1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- MICROFOOT® 1.6x1.6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI8487DB-T1-E1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
