VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI7772DP-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SI7772DP-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 35,6А
Ток стока: 35,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SI7772DP-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET + Schottky; Ток стока — 35,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 16,5мОм; Рассеиваемая мощность — 29,8Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 28нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 50А.
Перед заказом проверьте артикул SI7772DP-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 35,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET + Schottky
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI7772DP-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
