VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI7461DP-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SI7461DP-T1-GE3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8,6А; Idm: -60А
Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
VISHAY SI7461DP-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -8,6А.
Сопротивление в открытом состоянии — 14,5мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,19мкC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -60А.
Перед заказом проверьте артикул SI7461DP-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI7461DP-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
