VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI7288DP-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SI7288DP-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А
Ток стока: 20 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SI7288DP-T1-GE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8; Напряжение сток-исток — 40В; Ток стока — 20 А.
Сопротивление в открытом состоянии — 22мОм; Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 15,6Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 15нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 50А.
Перед заказом проверьте артикул SI7288DP-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 20 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI7288DP-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
