VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI7153DN-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SI7153DN-T1-GE3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -100А
Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® 1212-8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
VISHAY SI7153DN-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® 1212-8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -18А.
Сопротивление в открытом состоянии — 15мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 52Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 62нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.
Ток стока в импульсном режиме — -100А.
Перед заказом проверьте артикул SI7153DN-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® 1212-8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI7153DN-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
