VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI6562CDQ-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SI6562CDQ-T1-GE3
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,2/-4,9А
Монтаж: SMD · Корпус: TSSOP8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SI6562CDQ-T1-GE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSSOP8; Напряжение сток-исток — 20/-20В; Ток стока — 4,2/-4,9А.
Сопротивление в открытом состоянии — 22/30мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1/1,1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 23/51нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Ток стока в импульсном режиме — 30А.
Перед заказом проверьте артикул SI6562CDQ-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSSOP8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI6562CDQ-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
