VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI4842BDY-T1-E3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SI4842BDY-T1-E3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 28А; Idm: 60А; SO8

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI4842BDY-T1-E3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 28 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SI4842BDY-T1-E3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI4842BDY-T1-E3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 28 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.

Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 5,7мОм; Рассеиваемая мощность — 6,25Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 0,1мкC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 60А.

Перед заказом проверьте артикул SI4842BDY-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
28 А
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI4842BDY-T1-E3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.