VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI4532CDY-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SI4532CDY-T1-GE3
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SI4532CDY-T1-GE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — 30/-30В; Ток стока — 4,9/-3,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 47/89мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,78Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 9/12нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SI4532CDY-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI4532CDY-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
