О модели
Описание
VISHAY SI4477DY-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -26,6А.
Сопротивление в открытом состоянии — 6,2мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 4,2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,19мкC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Ток стока в импульсном режиме — -60А.
Перед заказом проверьте артикул SI4477DY-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI4477DY-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
