VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI4431CDY-T1-E3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SI4431CDY-T1-E3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9А; 4,2Вт; SO8

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI4431CDY-T1-E3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SI4431CDY-T1-E3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI4431CDY-T1-E3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -9А.

Сопротивление в открытом состоянии — 32мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 4,2Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Перед заказом проверьте артикул SI4431CDY-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI4431CDY-T1-E3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.