VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI4116DY-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SI4116DY-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 18А; Idm: 50А; 5Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI4116DY-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 18 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SI4116DY-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI4116DY-T1-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 18 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.

Напряжение сток-исток — 25В; Сопротивление в открытом состоянии — 11,5мОм; Рассеиваемая мощность — 5Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 56нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.

Ток стока в импульсном режиме — 50А.

Перед заказом проверьте артикул SI4116DY-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
18 А
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI4116DY-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.