О модели
Описание
VISHAY SI4100DY-T1-E3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 84мОм; Рассеиваемая мощность — 6Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 20нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 20А.
Перед заказом проверьте артикул SI4100DY-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6,8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI4100DY-T1-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
