VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI3585CDV-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SI3585CDV-T1-GE3
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А
Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Корпус: SC74 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SI3585CDV-T1-GE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6; Напряжение сток-исток — 20/-20В; Ток стока — 3,1/-1,7А.
Сопротивление в открытом состоянии — 78/316мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,9/8Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 4,8/9нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул SI3585CDV-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC74, TSOP6
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI3585CDV-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
