VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI3552DV-T1-E3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SI3552DV-T1-E3
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А
Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Корпус: SC74 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SI3552DV-T1-E3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6; Напряжение сток-исток — 30/-30В; Ток стока — 2,5/-1,8А.
Сопротивление в открытом состоянии — 360/175мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,15Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 3,6/3,2нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -7...8А.
Перед заказом проверьте артикул SI3552DV-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC74, TSOP6
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI3552DV-T1-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
