О модели
Описание
VISHAY SI3493BDV-T1-E3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -8А.
Сопротивление в открытом состоянии — 45мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,97Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 43,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — -25А.
Перед заказом проверьте артикул SI3493BDV-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC74, TSOP6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI3493BDV-T1-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
