VISHAY · Полупроводники

VISHAY SI3483DDV-T1-BE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SI3483DDV-T1-BE3

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSI3483DDV-T1-BE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Корпус: SC74 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SI3483DDV-T1-BE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SI3483DDV-T1-BE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -8А.

Сопротивление в открытом состоянии — 51,3мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 14,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Ток стока в импульсном режиме — -30А.

Перед заказом проверьте артикул SI3483DDV-T1-BE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SC74, TSOP6
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI3483DDV-T1-BE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.