VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI3476DV-T1-BE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SI3476DV-T1-BE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 3,7А; Idm: 18А
Ток стока: 3,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Корпус: SC74 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SI3476DV-T1-BE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 93мОм; Рассеиваемая мощность — 3,6Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 4,9нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 18А.
Перед заказом проверьте артикул SI3476DV-T1-BE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC74, TSOP6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI3476DV-T1-BE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
