VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI3464DV-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SI3464DV-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 8А; Idm: 20А; 3,6Вт
Ток стока: 8 А · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Корпус: SC74 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SI3464DV-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6.
Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 30мОм; Рассеиваемая мощность — 3,6Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 18нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — 20А.
Перед заказом проверьте артикул SI3464DV-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC74, TSOP6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI3464DV-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
