VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI3430DV-T1-E3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SI3430DV-T1-E3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,4А; Idm: 8А; 2Вт
Ток стока: 2,4 А · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Корпус: SC74 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SI3430DV-T1-E3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,185Ом; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 8,2нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 8А.
Перед заказом проверьте артикул SI3430DV-T1-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC74, TSOP6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI3430DV-T1-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
